技术编号：6025893
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，具体而言，涉及一种。背景技术随着集成电路(IC)制造技术的发展，晶圆的直径达到300mm以上，特征线宽已达到45nm以下，因此对晶圆全局平坦化的均勻性要求越来越高。每执行一次化学机械抛光平坦化工艺之后，都需要对晶圆的全局均勻性进行测量，即需要测量晶圆上各个点的膜厚。电涡流方法是一种非接触的金属膜厚测量方法，能够对纳米级膜厚进行快速的全局测量。利用已有的晶圆台测量晶圆的膜厚时，晶圆台会对电涡流传感器的电涡流信号产生电磁干扰，这造成对晶圆的膜...
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