技术编号：6061008
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括第一测试结构、第二测试结构、第三测试结构或第四测试结构，所述第一测试结构、第二测试结构或第三测试结构通过多晶硅栅极或金属线顺次连接组成串联结构。在所述半导体测试结构中，同时包含共享接触插塞和普通接触插塞，可以同时实现对共享接触插塞和普通接触插塞性能的测试，及时找出共享接触插塞和普通接触插塞工艺中所存在的问题。专利说明一种半导体测试结构 [0001] 本实用新型涉及一种半导体，特别是涉及一种半导体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。