技术编号：6151847
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体芯片检测领域，特别涉及。 背景技术PN结是半导体芯片工作的基础，由相邻的N型结和P型结构成，以下简称为结。在芯片制造中，通过对芯片基材掺杂杂质而形成结，掺杂方法分为热扩散与离子 注入两种方法。通过显现并分析芯片基材中掺杂杂质的区域，即结形貌，可以达到对扩散、离子注 入工艺的监控，对芯片产品性能的分析等目的。结形貌的显现目前主要有SRP (扩展电阻测试)，SIMS ( 二次离子质谱仪)测试等。 现有技术中无论是SRP(扩展电阻测试)，SIMS...
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