技术编号：6157227
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及一种。 背景技术在现在半导体中，等离子体工艺已成为制造金属氧化物半导体(Mental Oxide Semiconductor，MOS晶体管)中不可缺少的一部份。它具有方向性好，实现温度低， 工艺步骤简单等很多优点。然而在等离子体工艺中，常伴随有高能量的粒子及光子的轰击， 这些辐射包含了离子、电子、紫外线及微弱的X射线，当高能量粒子撞击到MOS晶体管表面 时将会对芯片性能造成伤害，其中一个常见的无法恢复的损伤即离子电荷积累所造成的静...
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