技术编号：6160540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，所述方法包括1）测量所述器件栅极上的电阻，所述测量方法为1-1）分别电连接所述器件栅极的两端，测量所述栅极的电阻，或者，1-2）在所述半导体器件上栅极两侧设置两个虚拟栅极，所述两个虚拟栅极的一端相连接，电连接所述两个虚拟栅极的另一端来测试所述两个虚拟栅极的电阻；2）根据步骤1）中所述测得的电阻，结合栅极电阻和温度之间的线性关系，得到所述栅极的温度，通过测量所述栅极的温度来监控所述器件的实际温度。本发明中通过在待测器件栅极两端或者通过在栅极两侧设...
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