技术编号：6169599
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，涉及半导体。本法提供的测试结构包括N个并联的CMOS反相器，每个所述CMOS反相器包括PMOS和NMOS；其中，每个所述CMOS反相器的输入端与输出端相连；并且，N为大于等于2的自然数。本发明的测试结构，通过将N个CMOS反相器（Inverter）并联，并将每个CMOS反相器的输入端与输出端相连作为测试结构，可以快速分析各CMOS反相器中的PMOS或NMOS的阈值电压的差异，进而快速分析半导体器件的失配情况。本发明的测试方法，使用上述测试结构实...
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