技术编号:6218309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例提供了,属于电子设备中陶瓷电容领域,以能够准确分析出陶瓷电容的内部缺陷,提高分析成功率。所述陶瓷电容失效的分析方法,包括对待分析的陶瓷电容进行阻值测试,将测得的阻值记为初始阻值,并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态;将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品,研磨,在研磨过程中对阻值进行实时测试,并将测得的阻值记为测试值;当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时,停止研磨,定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位;对所述缺陷部位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。