技术编号：6282780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种集成电路(IC),特别是，涉及一种次带隙参考电压产生器。背景技术可携式装置的需求增加以及技术尺寸缩小，使得数字电路的供应电压下降。电压参考产生器为许多集成电路(ICs)的主要标准单元 中的一个。可在IV供应电压以上操作的带隙参考产生器广泛地用 于DRAM或闪存中。带隙电压参考必须至少在本质上为4青确，且 对温度、电源供应及负载变化不每文感。带隙电^各的原理主要为两群以二极管方式连接的双极接面晶 体管(BJT)在不同的射极电流密度下运作。通...
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