技术编号：6283643
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对射频发生器进行检测的装置。背景技术在半导体薄膜淀积工艺中，常常需要使用射频发生器。在物理气相沉积(PVD)中，采用射频发生器，通过匹配电路，对阴极靶材施加高/中频电压，用以使所生长的材料由固体转化为气体，所生长材料的蒸汽经过一个低压区域，在衬底表面上凝结，形成薄膜。而在等离子体化学气相沉积(CVD)中，射频发生器提供高/中频电压，用以使电离的混合气体加速，创造等离子体气体环境。申请号为02105328. 6、名称为"降低对电缆长度的敏感性的射频...
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