技术编号：6339133
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种用于厚光刻胶(SU-8胶)紫外光斜入射背面光刻工艺的三维光 强分布模拟方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺过程计算机模拟领域。背景技术传统的SU-8胶紫外光垂直入射光刻工艺只能制造垂直的SU-8胶微结构。SU-8胶 紫外光斜入射光刻工艺可以摆脱这种限制，通过倾斜掩模版和SU-8胶平台，可以制造各种 倾斜的SU-8胶微结构。然而，由于SU-8胶在涂覆过程中厚度不均勻以及边珠效应等原因， 衬底边缘的SU-8胶会比衬底中央的SU-8胶厚。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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