技术编号：6385325
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于计算机存储，具体涉及一种相变存储器的损耗均衡方法。背景技术相变存储器(Phase Change Memory, PCM)是一种新型的非易失性存储器，它有着高密度、低功耗、高速读写等性能，并已开始在嵌入式系统中使用以替代传统的NOR存储器。尽管相变存储器比NOR的寿命要持久，但它还是摆脱不了寿命有限的困局。一个典型的相变存储器单元能够承受IO7到IO9次写操作，而向同一个相变存储器单元重复地写将可能在几秒钟内就对该单元造成破坏，这就为相变存储器在嵌...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。