技术编号:6524003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是以半导体器件电迁移失效物理模型为基础,建立了。在进行测试时首先需要收集半导体器件的相关信息;其次通过EDA软件SABER平台建立每个晶体管EDA模型及器件晶体管级EDA系统模型,并仿真得到半导体器件每个管脚的电压仿真值;然后基于器件版图等信息通过有限元仿真软件Abaqus建立有限元模型,并将管脚的电压仿真值注入到模型中进行仿真,得到金属互联线上的电流密度值;最后将收集得到的器件相关信息及仿真得到的电流密度值带入到电迁移BLACK模型中计算器件内部的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。