技术编号：6542459
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包括以下步骤步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容CiSS、CrSS测试，并通过计算得到CGS、CGD与漏极电压相对应的电容值，获取CGS、CGD的测试数据文件，步骤50）建立垂直型场效应晶体管电容CGD模型；步骤60）建立垂直型场效应晶体管电容CGS模型，本发明中垂直型场效应晶体管的直流特性模型可以解决BSIM3V3模型本身不具备垂直型场效应晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。