技术编号：6741722
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体闪存，并且特别涉及双MONOS快闪金属位阵列。背景技术 一种MONOS EEPROM由单元(cell)的一阵列所组成，该单元可独立的程序化及读取，金属氧化半导体(MOS)场效晶体管形成MONOS EEPROM的独特内存单元，快闪MOS晶体管包括有一源极、漏极、及浮动栅极及一个连接到一字线(WL)的控制栅极，好几个电压施加到字线及位线上，以程序化单元及一二元的“1”或“0”、或以清除单元。美国专利第6,248,633号(Ogura等)指向一种...
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