技术编号：6751529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种存储器，且特别是有关于一种具有屏蔽效应的存储器。背景技术 图1A所示为传统的只读存储器的等效电路图。存储器包括多个存储单元列(memory cell column)C，与相邻的子位线连接。各存储单元列C包括(m+1)个存储单元(memory cell)，并分别依据字符线WL0-WLm而致能，其中m为正整数。各个存储单元即用以存储0或1的数据。每个存储单元可为一个晶体管，在制造过程中视其所存储的数据而给予不同的阈值电压Vt。区块字符线BWL通...
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