技术编号：6752658
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及存储器系统，而且更特别地涉及具有存储阵列与相关参考阵列的系统。甚至更特别地，本发明涉及一种将双位闪存单元与相关参考阵列擦除的方法，以及一种维持参考阵列功能的方法。背景技术 闪存是一种在不耗电力的情形下可重写并且可维持其内容的电子存储介质。闪存器件一般具有100K至300K写入次数的寿命。不像可将单一字节擦除的动态随机存取存储器(DRAM)器件以及静态随机存取存储器(SRAM)器件，闪存器件典型地在固定多位区块或者扇区中被擦除和写入。从电可擦除...
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