技术编号：6753683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及一种半导体存储器件，具体涉及包括适合于高度集成的单元阵列和字线驱动器的铁电体RAM(随机存取存储器)器件、驱动所述字线驱动器的方法和用于读取和写入数据的驱动方法。背景技术 近来，使用铁电体薄膜来用于电容器的介电层以改善用于大容量存储器的DRAM(动态随机存取存储器)器件所需要的刷新的限制。使用这样的铁电体薄膜的铁电体随机存取存储器(FeRAM)具有优点作为非易失性存储器件在断电状态下保留存储信息，并且具有高访问、降低功耗和抗击冲击的强度的...
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