技术编号：6757969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铁电存储装置及电子设备。尤其涉及铁电体劣化少的铁电存储装置。背景技术 现有的FeRAM(铁电存储装置)在特开2002-100183号公报(专利文献1)中被披露。上述专利文献1披露的铁电存储装置在读出放大器的前级设有将二值化了的信号中的低电位侧的信号重新设定为0V的0电平设定电路。专利文献1特开2002-100183号公报不过，在上述专利文献1披露的现有的FeRAM中，因为在存储单元上施加高电压，所以存在构成存储单元的铁电体的疲劳特性大幅劣化的问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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