技术编号：6760515
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种由磁阻电阻和开关晶体管组成的MRAM存储单元，其中磁阻电阻位于两条基本垂直交叉的导电条之间，其中一个导电条延伸在最上金属化表面上，并且其中开关晶体管用源或漏极、控制极和漏或源极通过导电条与第零、第一和第二金属化表面相接触，从而使源或漏极连接到延伸在第零金属化表面上的存储单元区域的一个位线上，并且控制极通过字线和针脚触点而接于存储单元区域的第一金属化表面的导电条上。MRAM存储单元在理想情况下是无各开关元件的，而是以纯电阻阵列形式实现的，其中某...
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