技术编号：6763564
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件和半导体集成电路，特别涉及通过在场效应晶体管(FET)的浮置本体中聚集多数载流子存储信息的FBC[浮置本体单元(Floating Body Cell)]存储器。背景技术 随着由一个常规的晶体管和一个具有沟槽电容器和叠置电容器的电容器构成的DRAM单元变得越来越小，越来越难以制备DRAM单元。作为可以代替这种DRAM的存储器单元，现已提出通过在形成于绝缘体上硅(SOI)等之上的FET的浮置沟道本体中聚集多数载流子而存储信息的新存储单元...
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