技术编号：6764574
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在非易失性存储单元的编程期间，在电压脉冲被施加到单元的其它元件之后的一延迟时间，电压脉冲被施加到单元的擦除栅极。擦除栅极电压脉冲基本上在与其它电压结束的相同时间结束。专利说明[0001]本发明涉及一种对具有浮置栅极的非易失性存储单元进行编程的方法，并且更具体地涉及一种对具有单独擦除栅极的分栅式非易失性存储单元进行编程的方法。背景技术[0002]具有用于在其上存储电荷的浮置栅极的非易失性存储单元是本领域众所周知的。参考图1，其示出了现有技术的非易失性存储单元...
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