技术编号：6764720
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是含FinFET的SRAM单元。一种静态随机存储器(SRAM)包括第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET，以及与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器的第一下拉FinFET和第二下拉FinFET。第一传输门FinFET连接至第一上拉FinFET和第一下拉FinFET的漏极。第二传输门FinFET连接至第二上拉FinFET和第二下拉FinFET的漏极，其中，第一和第二传输门FinFET是P型Fin...
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