Eeprom及其存储阵列的制作方法技术资料下载

技术编号:6766426

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一种EEPROM及其存储阵列,所述存储阵列包括至少一个字节存储区域;所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M为正整数;其中,位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线,位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。本发明技术方案提供的EEPROM及其存储阵列通过将位于同一列的存储单元的源极连接...
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