技术编号：6770554
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及磁阻结构、自旋电子、存储器和集成电路。更具体而言，本发明涉及自旋扭矩磁阻结构以及包括基于自旋扭矩的磁阻随机存取存储器(MRAM)的器件。背景技术磁阻随机存取存储器(MRAM)将标准的基于硅的微电子器件与磁部件结合以实现非易失性存储器。例如，基于硅的微电子器件包括诸如晶体管、二极管、电阻器、互连、电容器或电感器之类的电子器件。晶体管包括场效应晶体管和双极晶体管。其他MRAM可以包括与其他半导体组件一起的磁部件，其他半导体部件例如包括砷化镓(G...
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