技术编号：6772220
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括可变电阻元件的非易失性半导体存储器设备，该可变电阻元件具有第一电极、第二电极以及由金属氧化物制成且夹置在第一电极和第二电极之间的可变电阻器，其中金属氧化物在初始状态是绝缘体，其电阻通过成形工艺减小，其电阻状态通过在成形工艺之后在第一和第二电极之间施加的电压而在两个或更多不同电阻状态之间变化， 且在变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。背景技术与诸如便携式电子设备的移动设备的突破相结合，闪存被广泛地用作高容量和不昂贵的非易失性存储器，其即使在断...
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