技术编号：6772696
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于非易失存储器，例如电荷捕捉非易失存储器，特别是关于一种具 有氮氧化硅隔离层能隙工程隧穿结构的多晶硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-氧化硅 (BE-SONOS)非易失电荷捕捉存储器及其制造方法。背景技术闪存是非易失集成电路存储器技术的一类。传统的闪存使用浮动栅极存储单元。 随着存储装置的密度提升，浮动栅极存储单元之间逾加靠近，储存在相邻浮动栅极中的电 荷交互影响即造成问题，因此形成限制，使得采用浮动栅极的闪存密度无法提升。另一种闪 存所使用的存储单元称...
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