技术编号:6773591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及相变存储器,特别涉及。 背景技术随着纳米工艺的飞速发展,存储器的尺寸也变得越来越小。在CMOS工艺集成度提升的背景下,相变存储器自从20世纪60年代末提出后,又得到了迅猛的发展。在众多的存储器中,相变存储器体现出了高速,低压和低功耗的特性。相变存储器的性能主要是由可逆的相变材料的相态变化所决定,通过实现非晶体和多晶体两种状态的实现来达到材料的高阻和低阻两种不同的电学状态。通常用非晶态表示逻辑“ 1 ”,晶态表示逻辑“ 0,,来存储数据。如果需要向...
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