技术编号：6777124
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及数字数据的错误校正(error correction )，更特别地， 涉及对于每个单元存储多个位的闪存(flash memory)装置的错误校 正的方法。背景技术闪存装置为人所知已有很多年了。 一般地，闪存内各个单元存储 一个位的信息。常规上，用于存储位的方式是通过支持单元的两种状态——一种状态代表逻辑"o"，另一种状态代表逻辑"r 。在闪存 单元中，通过在单元的沟道(连接单元的晶体管的源极和漏极元件的 区域)之上具有浮动栅极并在该浮动栅极内具有...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。