技术编号：6778165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件电性能失效分析的方法与装置，特别涉及获取非 挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置。 背景技术非挥发存储器(Non-voIatile memory, NVM)是目前广泛应用在大规模集成 电路领域的器件之一。具有存储数据的功能，并可以提供数据的写入、读 出、以及擦除操作，即使切断电源，其存储的内容也不消失，具有保存数据 的功能。闪存(Flash Memory)是一种常见的非挥发存储器。非挥发存储器主 要由非挥发存储器模块通过阵列的方...
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