技术编号:6778438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于集成电路的存储器单元,更具体地说,涉及用于静态随机存取存储器的存储器单元。背景技术 一种用于互补金属-氧化物-半导体(CMOS)静态随机存取存储器(SRAMs)的典型的六晶体管存储器单元包括两个联合起来存储一位信息的交叉耦合的数字反相器和位于所述存储器单元两边用来将该存储器单元连接到两条位线的两个存取晶体管。通常,存储器单元的存储态(即,“逻辑0”或“逻辑1”)被存储在一个数字反相器的输出端,而另一个数字反相器的输出端则是这个存储态的反信号或...
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