技术编号：6780259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电压生成电路。 背景技术非挥发性存储器(nonvolatile memory)在没有电源供电的条件下仍能保持内部 的存储数据，因此得到越来越广泛的应用。闪存(flash memory)作为一种非挥发性存储器， 被广泛应用于存储卡、计算机及便携式电子设备中。闪存的编程过程主要是通过隧穿注入效应(channel hot electron effect)来实 现的，相应的擦除过程主要是通过Rwler-NordheinK简称F-N)隧穿效应来实现的。...
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