技术编号：6782911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对非易失性存储器件的编程，更具体而言，涉及一种操作 非易失性存储器件的方法，其中可才艮据编程速度设置忽略电压。背景技术对于可执行电编程和擦除并在不供电时也可保持数据的非易失性存 储器件的需求正不断增长。此外，为了开发能够存储大量数据的大容量存 储器件而开发了存储单元的高度集成技术。为此，提出了与非(NAND) 型闪速存储器件，在这种闪速存储器件中，多个存储单元串联连接以构成 一个串，多个串构成一个存储单元阵列。通常，闪速存储单元包括栅，其中在半导...
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