技术编号：6784828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 黄铜矿化合物，特别地二硒化铜铟CuInSe2(也称之CIS)及其与镓的合金(′CIGS′)和与硫的合金(′CIGSS′)，在所谓薄层式光伏电池中用作光吸收层时是有希望的候选者，专利US 4 335 266是描述这些CIS电池技术的一个实例。由于它们的高吸收系数，黄铜矿CIGS的1-2mm厚度就足以吸收所有的入射光。改变In/Ga和Se/S比时，可以得到很宽范围的能量空穴(′带隙′)值(1-2.4eV)，并且具有渐进能量空穴的结构用于高产率光伏电池...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。