技术编号：6786723
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅衬底。背景技术近年来，越来越多地采用碳化硅衬底作为用于制造半导体器件的半导体衬底。碳化硅(SiC)比更通常使用的硅(Si)带隙大。因此，有利地，包括碳化硅衬底的半导体器件具有高反向击穿电压和低导通电阻，或者在高温环境下不容易劣化的性质。为了通过使用半导体衬底有效率地制造半导体器件，衬底的尺寸应该大到一定程度。根据US专利No. 7314520 (PTL)，可以制造76mm (3英寸)或更大的碳化硅衬底。引用列表专利文献PTL US 专利...
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