技术编号：6787049
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别地，涉及一种具有P型超晶格的LED外延结构及其制备方法。背景技术GaN由于其优良的特性，已经成为制造发光器件、高温大功率器件和紫外探测器的重要材料。P型掺杂是制造GaN器件必不可少的重要环节，因此吸引了很多研究小组的重视。由于Mg的钝化(passivation),未经处理的GaN Mg电阻率高达IOQ · cm,必须在生长后对Mg进行激活(Activation),以得到能应用于器件的P型GaN。1989年H. Amano取得了 P型重...
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