技术编号:6787725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复杂半导体装置以及此类装置的制造,尤其涉及在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的多种方法以及具有此类栅极覆盖层的多种装置。背景技术制造例如CPU (中央处理单元)、储存装置、ASIC (专用集成电路)等先进集成电路需要依据特定的电路布局及特定的流程操作在给定的芯片面积上形成大量电路组件,场效应晶体管(NM0S及PMOS晶体管)是制造此类集成电路产品中使用的一种重要类型的电路组件。场效应晶体管,无论是NMOS晶体管还是PMOS晶体管,通常由形成于半导体...
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