技术编号:6789037
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别是指一种,该晶体管使用非有意掺杂氮化铝/氮化镓/氮化铝复合空间层以及高迁移率氮化镓沟道层,可以显著提高二维电子气面密度及对二维电子气的限制作用,降低异质结界面对沟道电子性能的影响,提高所研制器件的性能。背景技术氮化镓基半导体材料具有优良的物理和化学特性,特别适合制备高频、高功率的场效应晶体管。氮化镓基场效应晶体管击穿电压高、工作频率高、输出功率大、抗辐射性能好,在无线通信、雷达、航空航天、汽车电子、自动化控制、石油勘探、高温辐射环境等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。