技术编号:6790478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化学清洗。硅高压器件的芯片有台面与平面之分。相对于台面而言,平面结构具有不少优越性。为了避免平面结构中P-N结终止在表面上而引起对击穿电压的影响,近年来发展了各种高压芯片的P-N结终端技术,使得平面芯片的击穿电压迅速接近了理想值,是当今高压硅器件发展的方向。由于平面芯片的P-N结终端是在表面,而表面极易产生机械损伤、杂质沾污、表面与界面的悬挂键的沾污,再加上高温加工过程的二次缺陷也大量集中在表面区,从而使平面高压芯片的击穿电压一般制约于表面击穿,...
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