技术编号：6791257
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于半导体封装。背景技术随着半导体技术的发展，硅通孔互联技术成为半导体封装的常用方法。硅通孔互联技术通常包含硅通孔制作、PECVD (等离子增强气相沉积)技术成形绝缘层以及金属填充，该技术极大地增加了半导体封装的灵活性。硅通孔互联技术也已经应用于硅基转接板的封装，硅通孔形成过程主要采用“B0SCH”刻蚀方法，即交替使用刻蚀及钝化工艺，“B0SCH”刻蚀方法最终会在孔壁上留下高低起伏的纹路(scallop)，即孔壁波纹，如图1所示，“B0SCH”...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。