技术编号:6796174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体领域,尤其涉及一种半导体装置。背景技术目前,现有技术中的半导体装置的构造可以同时实现导通电压的降低和可关断电流的增加。图1是现有技术中参考文献I (日本专利特开平8-316479,申请人三菱电机株式会社)的半导体装置的一截面示意图,如图1所示,在作为漂移区发挥作用的N-型半导体层42和作为基极区发挥作用的P型半导体层44之间,设置了比N-型半导体层42的不纯物浓度更高的N型半导体层43。同时,在与发射电极51连接的P型半导体层44的...
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