技术编号：6798947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，特别涉及使半导体器件中的小丘大大减少的半导体器件的金属化工艺。常规的半导体器件金属化工艺淀积金属是在低温和淀积速率很慢的条件下进行的。例如，以使用D.C磁控管的常规溅射技术淀积铝合金，在约250℃时，淀积速率为每秒20 。由于在这些常规方法中采用如此低的温度，使得后序工艺步骤-例如等离子氧化(约300℃)和聚酰亚胺退火(高达450℃)-的工艺温度高于金属淀积温度。后序工艺步骤的较高温度在整个金属化中产生应力，其结果是形成了严重的小丘。...
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