技术编号：6806552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体高压器件及功率器件技术。众所周知，平面(Planar)n+—p(或p+—n)结的击穿电压，常受限于表面击穿。这里利用图1所示的n+—p结剖面图，对此现象作一简单解释。图中1为p-(或n-)衬底，2为n+(或p+)区，当n+—p(或p+—n)结，加上反向偏压后，沿中间区只有纵向电场，其值在n+—p(或p+—n)冶金结面最高。沿p(或n)区表面有一横向电场，其沿表面的积分须等于反向偏压。由于曲率效应，在n+(或p+)区表面附近的电场分布很不均匀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。