技术编号：6807053
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作高压器件沟道的方法，尤其涉及一种制作高压器件沟 道的非外延方法。背景技术目前，40V以上的高压器件的沟道生产工艺， 一般都采用以下工艺先在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入锑作为N型埋层，然后再在上 面外延生长N型衬底。这种生产工艺流程复杂，成本昂贵。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种生产工艺简单，生产成本低廉的制作 高压器件沟道的非外延方法。为解决上述技术问题，本发明提供，其包含如下步骤用高能离子注入磷来做为N型埋层；用低能离子...
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