技术编号：6808661
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是关于在VLSI(超大规模集成电路)中以高合格率实现多层布线技术的多层金属布线形成方法。在方面，近年来随着VLSI的高度集成化，在第一层金属布线与第二层金属布线之间形成层间绝缘膜的形成方法，在双层或三层布线结构的多层金属布线形成方法中成为一项重要的基本技术，而对上述层间绝缘膜则要求具有对其上层形成的金属布线无影响的平坦度，且吸湿性要低。以下，参照附图说明以往的多层金属布线形成方法的一个示例。图15(a)～(d)和图16(a)～(c)所示为以...
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