技术编号：6810441
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种直径300mm及300mm以上的高性能的具有无缺陷层的单晶硅晶片及其制造方法。背景技术 将以CZ法(Czochralski法)制造的掺杂了氮的单晶硅加工成晶片之后，在氩等惰性气体环境中，进行高温长时间的热处理(称为退火)的硅晶片，通过提高晶片表面的元器件活性层的完全性，在制作元器件时，至少从表面到3μm左右深度的区域需要无缺陷化，且增加称为体内BMD(Bulk Micro Defect体微缺陷)的吸气(gettering)侧的氧析出物密度，由...
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