技术编号：6811271
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的T形栅加工方法，特别适用于半导体0.1μm的T形栅加工工艺技术。0.1μmT形栅是毫米波HEMT、P-HEMT器件及其单片电路的关键工艺之一，国外自八十年代投入大量人力财力，从事微细加工的设备和技术研究，开发出多种加工技术，如电子束直接光刻法；X射线曝光法；聚焦离子束无掩膜法等等。其中用得最为广泛的是电子束直接光刻法，它利用两层以上的光刻胶，在胶上曝光显影得到“T”形的窗口，经蒸发金属、剥离后制造出细至0.1μm以下的“T”形栅，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。