技术编号：6812075
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备半导体器件的方法尤其是涉及一种具有硅化物薄膜的半导体晶体管的制备方法，而该晶体管的硅化物薄膜的源/漏区和栅电极是自对准的，亦即该晶体管具有自对准的硅化物结构。为了适应半导体器件的高集成度和小尺寸的要求，栅电极的尺寸要求愈来愈小，厚度要求愈来愈薄。而源漏区也必须制做成更薄的结深。这就导致栅线的电阻增加。源漏区将有较大的薄膜电阻。此外，半导体器件的高集成度也将导致引线长度增加，而另一方面又要求半导体有更高的运行速度。因此，要获得理想的性能，用...
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