技术编号：6812188
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法，特别涉及具有在非单晶硅层上形成的薄膜晶体管的半导体器件的制造方法，在用氢等离子处理时，该器件具有的薄膜晶体管内不残留氢。非晶结构和多晶结构属于和单晶结构相反的非单晶结构，利用非单晶半导体材料制造的薄膜晶体管，作为静态随机存取存储单元的负载元件和液晶显示单元的有源开关元件。研究和开发了在非单晶半导体层上制造薄膜晶体管，最近设置有薄膜晶体管的集成电路器件已投入半导体市场。在非单晶半导体层上制造的薄膜晶体管下面称为“非单晶薄膜晶体...
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