技术编号：6818542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有使用绝缘性金属氧化物膜作为电容绝缘膜的强电介质电容器的。背景技术 近年来，伴随着数字技术的发展，正处于推动处理和保存大容量数据的趋势中，其中，为了进一步提升电子仪器的等级，构成电子设备中使用的半导体器件的半导体存储元件的微细化正在快速地发展。另外，为了实现动态RAM的高集成度化，人们进行了广泛的研究，开发使用高电介质代替以往的氧化硅或氮化硅作为构成半导体存储元件的电容绝缘膜的技术。另外，为了使可以在低电压下工作并能高速写入和读出的非易失性RA...
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