技术编号:6819145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体的制作工艺,特别是涉及一种。动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory;DRAM)的电容负责DRAM数据的存储,在DRAM元件结构中,电容值必须足够大,数据的存储时间(Data Retention)才可以达到要求,然而随着超大规模集成电路(ULSI)DRAM元件的小型化,存储单元(Cell)尺寸也随之缩小,因此常会增加电极板的表面积以增加电容量,例如在电极板上生成半球型硅晶粒(Hemispherical...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。